使用BTX電融合緩沖液應(yīng)注意：

1、保持無(wú)菌環(huán)境。建議使用標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)菌技術(shù)，以避免在使用過(guò)程中受到污染。

2、反復(fù)洗滌。BTXpress Cytofusion Medium C是一種低電導(dǎo)率培養(yǎng)基，專為電融合而設(shè)計(jì)。痕量的高電導(dǎo)率溶液如PBS或組織培養(yǎng)生長(zhǎng)培養(yǎng)基可破壞融合過(guò)程。因此，在融合過(guò)程之前用BTXpress Cytofusion Medium C*清洗細(xì)胞是很重要的。

3、清潔電融合室。為避免其他離子污染源，每次使用后清潔電熔室，并用無(wú)菌去離子水*沖洗。

4、室溫電融合。為了大限度地提高細(xì)胞融合效率，請(qǐng)?jiān)谑覝叵率褂?span lang="EN-US">BTXpress Cytofusion Medium C. 終洗滌之前的細(xì)胞洗滌可以在4℃下進(jìn)行。

5、較大限度地減少緩沖區(qū)的時(shí)間。雖然Cytofusion Medium C無(wú)毒，但它不含有*支持細(xì)胞活力的營(yíng)養(yǎng)素。為了獲得宜結(jié)果，大限度地減少細(xì)胞懸浮在BTXpress Cytofusion培養(yǎng)基C中的時(shí)間。不建議細(xì)胞在終清洗后超過(guò)1小時(shí)保留在BTXpress Cytofusion Medium C中。

6、5：1直接稀釋。電融合后，BTXpress Cytofusion培養(yǎng)基C中的細(xì)胞可以在細(xì)胞培養(yǎng)基中稀釋而不洗滌細(xì)胞。將五份*培養(yǎng)基稀釋至一份BTXpress Cytofusion Medium C的小稀釋度。或者，可以在生長(zhǎng)培養(yǎng)基中洗滌細(xì)胞以在培養(yǎng)之前*除去BTXpress Cytofusion培養(yǎng)基C。